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IRF640NL中文资料

IRF640NL图片

IRF640NL外观图

  • 大小:155.41KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1160pF @ 25V
  • 功率 - 最大:150W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • 供应商设备封装:TO-262
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRF640NL

IRF640NL供应商

更新时间:2023-01-19 09:19:26
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • IRF640NLPBF

  • 优势
  • 1000

  • INFINEON TECHNOLOGIES

  • Trans MOSFET NCH Si 200V 18A 3Pin(3+Tab) TO26/23+

  • 原装,假一罚十

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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