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IRF640NL中文资料

IRF640NL图片

IRF640NL外观图

  • 大小：155.41KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1160pF @ 25V
  • 功率 - 最大：150W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装：TO-262
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRF640NL

IRF640NL供应商

更新时间:2023-01-19 09:19:26
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